金瓷基底冠进行氧化处理时，理想的氧化层应为多厚（）

A . 1～2分钟 B . 3～5分钟 C . 5～10分钟 D . 10～12分钟 E . 12～15分钟

A . A.用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物 B . B.用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物 C . C.一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形 D . D.使用橡皮轮磨光金属表面 E . E.防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

A . 与预备体密合度好 B . 支持瓷层 C . 金瓷衔接处为刃状 D . 金瓷衔接处避开咬合区 E . 唇面为瓷层留出0.85～1.2mm间隙

A . 用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物 B . 用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物 C . 一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形 D . 使用橡皮轮磨光金属表面 E . 防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

A . 0.5mm B . 0.6mm C . 0.7mm D . 0.8mm E . 1.0mm

A . 金瓷衔接处为刃状 B . 支持瓷层 C . 与预备体密合度好 D . 金瓷衔接处避开咬合区 E . 唇面为瓷层留出0.85～1.2mm的间隙

A . A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 B . 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 C . 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 D . 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同 E . 理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

A . A.0.3mm B . B.0.5mm C . C.1.0mm D . D.1.5mm E . E.2.0mm

A . A.15～25μm B . B.25～35μm C . C.35～50μm D . D.50～100μm E . E.100～120μm

A . A.瓷结合不良 B . B.不透明瓷层出现裂纹 C . C.出现瓷气泡 D . D.金属氧化膜过厚 E . E.PFM冠变色

A . A.0.5mm B . B.0.6mm C . C.0.7mm D . D.0.8mm E . E.1mm

A . A.对颌牙接触的功能区 B . B.对颌牙接触区 C . C.避开与对颌牙接触的功能区及中心区 D . D.对颌牙接触的舌面颈部 E . E.对颌牙接触的切嵴处

A . 金瓷衔接处为刃状 B . 支持瓷层 C . 与预备体密合度好 D . 金瓷衔接处避开咬合区 E . 唇面为瓷层留出0.85～1.2mm的间隙

A . 用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物 B . 用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物 C . 一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形 D . 使用橡皮轮磨光金属表面 E . 防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

A . A.用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 B . 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 C . 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形 D . 禁止使用橡皮轮磨光 E . 用50～100μm的氧化铝喷砂

A . 0.1mm B . 0.2mm C . 0.3mm D . 0.5mm E . 1.0mm

A．0.8mm B．0.6mm C．0.7mm D．1.0mm E．0.5mm