当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
光谱线的强度与跃迁能级的能量差、高能级上的原了总数及跃迁概率有关。
在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。
施主能级
分子具有电子能级、振动能级和转动能级，各能级的能量顺序为（）。
能从给定元素原子的特定能级上逐出一个电子所需要的最大波长（最小光能量），称为该元素该能级的吸收限。
半导体中施主能级的位置位于（）中。
半导体中施主能级的位置位于（）。
在管理系统中，建立一套合理能级，根据单位和个人能量的大小安排其工作，发挥不同能级的能量，保证结构的稳定性和管理的有效性，这就是()。
为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？
当某一波长红外辐射的能量恰好等于某种分子振动能级的能量之差时，才会被该种分子吸收，并产生相应的振动能级跃迁，这一波长便称为该种分子的（）。
X射线是由于原子中的电子在能量相差悬殊的两个能级之间的跃迁而产生的粒子流。（ ）
费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
在激光三能级系统中，能量最低的状态被称为：（）
3．不同多重态、有重叠的转动能级间的非辐射跃迁称为______。同一电子能级内以热能量交换形式由高振动能级至低相邻振动能级间的跃迁称为______。
计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
已知Ne原子的某一激发态和基态的能量差E2－E1=16.7eV，试计算T=300K时在热平衡条件下，处于两能级上的原子数之比。
【判断题】半导体材料中的导带底能量Ec比价带顶能量Ev要低。
当费米能级低于导带极值的能量＞＞K0T时，以下描述正确的是（）
发光辐射的波长由材料中的杂质决定，也就是决定材料的能带结构①试确定ZnS中使电子激发的光子波长②ZnS中杂质形成的陷阱能级为导带下的1.38eV，试计算发光波长及发光类型
16、负电子亲和势光电阴极是真空能级在导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值。
3、晶体中大量电子能级分布组成密集的能级带，称为能带，其中“价带”能级最低，“导带”能级最高。
2、对于非简并半导体，导带底或价带顶附近的状态密度与能量的关系为：
