简并半导体是指（）的半导体。
由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）
为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
半导体的简并化判据
受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。
与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）
入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。
一导体球外充满相对介电常数为εr的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度σ为（）
若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（）。
费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
导体表面附近P点的场强与表面上对应P点的电荷面密度 的关系为（）。ec42d4f14eb3e8745efffbda0d74d1b8.gif
发光的过程是电子被激发从价带跃迁到导带，然后再从______跃迁到______的过程中，就会产生发光现象。
P(Positive) 型半导体主要依靠价带中的（ ）导电。
一“无限大”均匀带电平面A，其附近放一与它平行的有一定厚度的“无限大”平面导体板B，如图所示．已知A上的电荷面密度为 ，则在导体板B的两个表面1和2上的感生电荷面密度为（ ）http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201802/4df928fb4dfb458ba55103dd0ebe6db4.png
如图15—4所示，一个“无限大”均匀带电平面A，其附近放有一个与它平行、有一定厚度的“无限大”导体平板B．已知A上的面电荷密度为+σ，则在导体平板B的两个表面1和2上的感生面电荷密度分别为()．
【判断题】半导体材料中的导带底能量Ec比价带顶能量Ev要低。
在“无限大”均匀带电平面A附近放一与它平行，且有一定厚度的“无限大”平面导体板B，如图所示，已知A上的电荷面密度为+σ，则在导体板B的两个表面1和2上的感生电荷面密度为多少？
3、晶体中大量电子能级分布组成密集的能级带，称为能带，其中“价带”能级最低，“导带”能级最高。
光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后，电子从价带跃迁到导带，产生了电子－空穴对，电子具有（)，空穴具有（)。
3、p型半导体的主要导带机制是（）
19、本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。
