采用正硅酸乙酯包埋料包埋，其内层每次置入氨气（含量﹥36%）干燥箱内干燥处理的时间不得少于（）。

A . 0.5小时 B . 1小时 C . 2小时 D . 3小时 E . 12小时

A . A.用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物 B . B.用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物 C . C.一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形 D . D.使用橡皮轮磨光金属表面 E . E.防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

A . 较低的凝固膨胀，较高的温度膨胀 B . 较高的凝固膨胀，较低的温度膨胀 C . 温度膨胀和凝固膨胀均较高 D . 温度膨胀和凝固膨胀均较低 E . 以上均不正确

A . 30min B . 60min C . 90min D . 2h E . 15mi

A . 用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物 B . 用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物 C . 一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形 D . 使用橡皮轮磨光金属表面 E . 防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

A . 增强包埋料的强度 B . 增强包埋料的透气性 C . 增加包埋料的干燥性 D . 增加包埋料间的附着 E . 增加内外包埋料间的结合

A . 12 B . 16 C . 20 D . 28

A . 3∶1 B . 1∶1 C . 4∶1 D . 3∶2 E . 5∶1

A . 磷酸盐包埋料 B . 石膏系包埋料 C . 硅酸盐包埋料 D . 磷酸盐包埋料和硅酸盐包埋料均可 E . 石膏系包埋料和磷酸盐包埋料均可

A . 4：1 B . 6：1 C . 7：1 D . 8：1 E . 9：1

A . A．3:1 B . B．1:1 C . C．4:1 D . D．3:2 E . E．5:1

A . 用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物 B . 用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物 C . 一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形 D . 使用橡皮轮磨光金属表面 E . 防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

A . A．较低的凝固膨胀，较高的温度膨胀 B . B．较高的凝固膨胀，较低的温度膨胀 C . C．温度膨胀和凝固膨胀均较高 D . D．温度膨胀和凝固膨胀均较低 E . E．以上均不正确

A . 硅酸乙酯结合剂包埋料较低的凝固膨胀，较高的温度膨胀 B . 硅酸乙酯结合剂包埋料较高的凝固膨胀，较低的温度膨胀 C . 磷酸盐结合剂包埋料较低的凝固膨胀，较高的温度膨胀 D . 磷酸盐结合剂包埋料较高的凝固膨胀，较低的温度膨胀 E . 以上均不正确

A . A．10min B . B．5min C . C．15min D . D．3min E . E．时间越短越好

A . A.一次包埋法 B . 两次包埋法 C . 三次包埋法 D . 内层包埋法 E . 外层包埋法

A . A．0.1%～0.2% B . B．0.6% C . C．0.8%～1.0% D . D．1.6% E . E．2%

A .因技师操作不当而造成的现象是（）。A.与3、7的邻接关系不好，且变形B . 金属桥穿孔C . 铸造不全D . 铸件有气泡E . 咬https://assets.asklib.com/psource/2015112816301429023.jpg 变低

A . 3：1 B . 1：1 C . 4：1 D . 3：2 E . 5：1

A . A．30min B . B．60min C . C．90min D . D．2h E . E．15min

A . A.取蜡型前要安插铸道，蜡型从工作模上取下后，应在邻接面追加一些蜡，并且放置时间不能太长，要及时包埋 B . 取蜡型前要安插铸道，蜡型从工作模上取下后，应在邻接面追加一些蜡，取下蜡型后，应放置5h以上再包埋 C . 在取蜡型后安插铸道，蜡型从工作模上取下后，应在邻接面追加一些蜡，取下蜡型后，放置时间不能太长，要及时包埋 D . 取蜡型前要安插铸道，蜡型从工作模上取下后，不需在邻接面追加蜡，取下蜡型后，放置时间不能太长，要及时包埋 E . 熔模距铸圈内壁的距离不得＜5mm

A．0.1%～0.2% B．0.6% C．0.8%～1.0% D．1.6% E．2%