变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时,测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。
影响被试设备的介损测试的外部因素有()。
用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?
测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器,其主绝缘介损tgδ值为0.33%;末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%,以下几种诊断意见,其中()哪项是错误的。
一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%,绝缘电阻10000MΩ,末屏对地绝缘电阻为60MΩ,介损tgδ值16.3%,是否可以继续运行()。
测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时,如试品周围近距离内有大面积接地物体(墙壁、构架、栅栏等),通过()耦合,会影响测量结果的真实性;对大电感试品,应将线圈首尾(),以消除电感、电容对测量准确度的影响。
什么叫介损?它主要由哪两部分组成?为什么要设法降低绝缘材料的介损?
测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时,有末屏的应尽量使用()进行测量。
测试油介损时所用介损油杯注油前应对空杯进行()工作电压的耐压试验。
110(66)kV-220kV变压器出厂验收时,应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。
测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。
进行绝缘介损测量时,当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。()
测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时,一般情况下C1<C2/5,所以测量时主要反映(C1)的介损值。
变压器出厂验收阶段进行绕组对地及绕组间绝缘电阻测量,测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()。
在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
35kV变压器出厂验收时,应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。
测试绝缘的介损值时,以下描述正确的是()。
500(330)kV-1000kV变压器出厂验收时,应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。
测量变压器绕组的介损值时,介损测试仪应该使用正接法。()
小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。
当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器C1和C2的电容量和介损时,必须严格按照试验规程规定。()
当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时,应测量末屏对地的介损,加压()。
电容型套管对地末屏的介损及电容量运行中()年试验一次。