变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
影响设备介质损耗测试的外部因素有（）。
测量绝缘电阻时外界影响因素有周围环境（）及被试设备加压时间的长短都能影响到测量数据。
测量变压器的介损，可以反映出变压器绕组是否有断股，接头接触不良等缺陷。（）
当标准电容器有很大的介损时，实测试品（绝缘）介损一定为负值。
测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。
什么叫介损？它主要由哪两部分组成？为什么要设法降低绝缘材料的介损？
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
相对介质损耗因数和电容量比值测试时，采用（）时，应注意相邻间隔对测试结果的影响，记录被试设备相邻间隔带电与否。
110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。
变压器出厂验收阶段进行绕组对地及绕组间绝缘电阻测量，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）。
用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
35kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
测试绝缘的介损值时，以下描述正确的是（）。
500（330）kV-1000kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
测量变压器绕组的介损值时，介损测试仪应该使用正接法。（）
35KV以上变压器在20℃时的介损因数为1.5%，35KV以下的同类变压器同温下的介损系数不应大于（）。
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
高压为35kV以上变压器在20度时的介损系数为1.5%,高压为35kV以下的同类变压器同温下的介损系数应大于()%。
