电路如图11-8所示，晶体管β=50，Ube=0．6V，RB=72kΩ，RC=1．5kΩ，U=9V，当R=0时，晶体管处于临界饱和状态，正常工作时静态集电极电流ICQ应等于3mA，此时应把R调整为（）kΩ。https://assets.asklib.com/psource/2015110114223935083.jpg
电路如图11-18所示，已知晶体管β=60，Ube=0．7V，RC=2kΩ，忽略Ube，如要将集电极电流IC调整到1．5mA，RB应取（）kΩ。https://assets.asklib.com/psource/2015110114271740603.jpg
单结晶体管截止条件是（）。
题31图所示的放大电路中，已知VCC=12V，RB=100kΩ，RC=1.5kΩ，晶体管的β=80，UBE=0.6V。则该晶体管处于（）状态。https://assets.asklib.com/psource/2015110209243397511.jpg
放大电路如图11-13所示，已知：RB=240kΩ，RC=3kΩ，，晶体管β=40，U=12V，现该电路中的晶体管损坏，换上一个β=80的新管子，若要保持原来的静态电流IC不变且忽略Ube，应把RB调整为（）kΩ。https://assets.asklib.com/psource/2015110114245564276.jpg
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
电路如图11-12所示，已知U=12V，RC=3kΩ，β=40且忽略Ube，若要使静态时UCE=9V，则风应取（）kΩ。https://assets.asklib.com/psource/2015110114243260024.jpg
测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V，则该管工作在（）。
放大电路如图11-11所示，设晶体管β=50，RC=1．5kΩ，Ube=0．6V，为使电路在可变电阻R=0时，晶体管刚好进入饱和状态，电阻R应取（）kΩ。https://assets.asklib.com/psource/2015110114235961685.jpg
题图240所示电路，晶体管V1工作在放大状态，当U0增大时，Ube的（）https://assets.asklib.com/psource/2015061112233685132.jpg
晶体三极管截止的条件是（NPN型）（）。
在晶体管电路中，三极管工作于深度饱和状态时，Uce将会（）Ube。
晶体三极管（NPN型）截止的条件是什么？
硅二极管电路如题图1.1(a)和(b)所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出AB两端的电压U<sub>AB</sub>值。
4、在保持iB不变的条件下，温度每升高1℃，uBE大约下降2mV。
设函数f（z)=u（x，y)+iv（x，y)在区域D内解析，且满足下列条件之一，试证f（z)在D中内是常数。（1)在D内
已知某MOS场效晶体管产生漏极电流的条件是U<sub>DS</sub>＞0，U<sub>GS</sub>＞U<sub>GS(th)</sub>＞0。该场效晶体管为( )。
NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB＞UBE（on)，且UCEQ＞UBE（on) 。
下图所示的放大电路中，晶体管的β=50，rbe=0.8kΩ，UBE=0.7V，各电容对交流信号均可视为短路。
已知VCC=12V，UBE（on)=0.6V，VBB=－0.3V，谐振功率放大器工作在临界状态Ucm=10.5V，要求输出功率Po=1W，θ=60°，试
上题1条件不变，试求：当该变压器带额定负载且cosθ2=0.8（超前、滞后）时的（1）电压调整率ΔU；（2）效率ηN；（3）最大效率ηmax
电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ＝4.3V，晶体管的UBE＝0.7V，R1＝R2＝R3＝300Ω，R0＝5Ω。试估算： （1）输出电压的可调范围； （2）调整管发射极允许的最大电流； （3）若UI＝25V，波动范围为±10％，则调整管的最大功耗为多少。
4、谐振功率放大器输入回路直流偏置电压UBB = - 0.2 V，晶体管导通电压UBE（on) = 0.6 V，交流输入电压振幅Ubm = 1.6 V。则该谐振功放的通角q为（）。
