晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。
某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反响工作电压()。
用作整流电路的二极管的工作条件(正向电流,反向电压),一定要低于其额定值,并有足够的余量,应该加装散热器(片)的,必须加装。
在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
硅二极管的型号为ZP100—8F,指的是其额定电流为100A,额定电压800V,正向平均电压(),()的硅整流二极管。
一般规定二极管的反向工作电压为反向击穿电压的4/5。
使二极管产生击穿的临界电压称为二极管的()
使二极管击穿的临界电压称为二极管的()
一个硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为()。
在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
二极管一般在正向电压下工作,稳压二极管则在反向击穿状态下工作。
当二极管加正向电压时,二极管将有很大的正向电流流过,这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为()。
硅二极管上外加正向电压很低时,正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约()时,正向电流才明显增加,这个电压称为硅二极管的门坎电压。
一个二极管的反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压()。
连接在电路中的二极管,当温度升高时,二极管的正向漏电流和反向击穿电压分别会()。
二极管导通后,正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为( ),锗管的正向压降为( )
当正向电压很小时,二极管的正向电流几乎为零,呈现高电阻;当正向电压超过某一数值后,正向电流迅速增加,这时正向电阻很小。()
二极管的最高反向工作电压通常为击穿电压的二分之一。()
特殊二极管的特点及应用发光二极管()的开启电压和击穿电压与普通二极管的开启电压和击穿电压相比为()
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
二极管的最高反向电压为击穿电压的()倍。
一般规定二极管的反向工作电压为其反向击穿电压的一半左右()
5、从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降