下列（）项是半导体。

A . A、二极管 B . B、三极管 C . C、变压器 D . D、场效应管

A . 光敏电阻 B . 光电耦合器 C . 硅光电池 D . 激光发生器

A . 半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型 B . 半导体存储器都是挥发性的，即只要关机（切断电源），所存储的信息就会全部丢失 C . 静态存储器，即使不断电，存储单元所存储的信息也会慢慢丢失 D . 动态存储器需要不断刷新

A . GTO B . GTR C . 功率MOSFET D . IGBT

A . 光吸收系数极大 B . 与结晶Si不同，多晶粒界没有少数载流子的拦截 C . 以CIGS为代表的除黄铜矿系之外还有Al系、S系等，种类丰富，带工程的自由度也很高 D . 可以期待粒径为1um大小的CIGS高效率

A . A、铜 B . B、橡皮 C . C、锗

A . A、硅 B . B、铜 C . C、银 D . D、金

A . 氧化铜 B . 云母 C . 硅 D . 银

A . PN结的单向导电性 B . PN结的反向击穿特性 C . PN结的正向导通特性 D . PN结的反向截止特性

A . A．金硅面垒探测器 B . B．碘化钠探测器 C . C．高纯锗探测器 D . D．同轴锗锂探测器

A . A.镍 B . B.锰 C . C.锗 D . D.石英

A . 半导体就是一半导电，一半不导电 B . 是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体 C . 半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子 D . 半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料

A . 硬盘 B . 光盘 C . Flash ROM D . DDR3 SDRAM

A . 硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As） B . 硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al） C . 砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE） D . 砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

A . A、灵敏度高 B . B、体积小、耗电省 C . C、横向效应小 D . D、机械滞后小，可测量静态应变、低频应变等

A.直接带隙半导体的导带最低点与价带最高点具有相同的晶体动量 B.间接带隙半导体的电子跃迁不仅需能量的转换，也需要动量的交换。 C.间接带隙半导体电子在跃迁过程中将能量转移给晶格，释放声子 D.单晶硅是一种直接带隙半导体

A．通常把主要依靠导带电子导电的半导体成为n型半导体 B．在小注入的情况下,非平衡少数载流子的影响可以忽略 C．根据杂质原子在晶体中的位置,可分为间隙式和替位式 D．根据杂质能级在禁带中的位置,可分为深能级杂质和浅能级杂质

A．Si B．Ge C．GaAs D．SiO2

A．原子能 B．激光 C．航天飞机 D．人造卫星

A．热敏性 B．光敏性 C．掺杂性 D．导电性