已知谐振功率放大器，晶体管转移特性的斜率Eb=-0.2V，Ec=24V，Uj=0.6V，gcr=0.4A/V，Rc=50Ω，Ubm=1.6V，Po=1W，求Icmax，Ucm，ηc？
CDMA2000系统规范规定，MS的最大发射功率不大于（）。
已知串联谐振电路的谐振频率 https://assets.asklib.com/images/image2/2017052116480972504.jpg ，电容C=2000pF，通频带宽度B=10KHz，试求电路电阻及品质因数。
某谐振高频功率放大器，已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.9S，Uj=0.6V，Ec=18V，Eb=-0.5V，输入电压Ubm=2.5V，Ucm=16V集电极电流脉冲幅值Icmax=1.8A，且放大器工作于临界状态。试求：Ps，Po，Pc，ηc？
某谐振功率放大器工作于临界状态，已知Ec=24V，饱和临界线斜率gcr=0.6S，导通角θ=80°，Po=2W。试求：Ps，Pc，ηc？
晶体管3DG12B组成谐振功率放大器，已知电源电压Ec=18V，Ucm=16V，Icmax=236.5mA。电压利用系数ζ=0.94，gcr=0.219S，θ=80°，且放大器工作于临界状态。试求：Ps，Po，Pc，ηc？
已知谐振功率放大器工作在临界状态，晶体管转移特性的斜率g=10ms，U=0.5V，Eb=-0.5V，Ubm=2V，晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V，Ec=24V。 求（1）导通角θ； （2）输出电压振幅值Ucm
某谐振功率放大器，已知Ec=24V，输出功率Po=5W，晶体管集电极电流中的直流成分Ic0=250mA，输出电压Ucm=22.5V，试求：直流电源输入功率Ps；集电极效率ηc；谐振回路谐振电阻Rc？
某谐振高频功率放大器，已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS，Uj=0.5V，Ec=24V，Eb=-0.5V，输入电压Ubm=2V，gc=10mS，且放大器工作于临界状态。试求：Ps，Po，ηc？
某谐振高频功率放大器，已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS，Uj=0.5V，Ec=24V，Eb=-0.5V，输入电压Ubm=2V，gc=10mS，且放大器工作于临界状态。试求：θ，Ic0，Ic1m，Ucm？
设某谐振功率放大器工作在临界状态，已知电源电压Ec=36V，集电极电流导通角θ=70°，集电极电流的直流分量为100mA，谐振回路的谐振电阻Rc=200Ω，求放大器的输出功率Po，效率ηc？
某phase2双频MS进入1800小区A，已知该小区中，MS最大发射功率限定为24dBmw，而MS收到的Classmark中规定-MS发射功率为CLASS1。则在该小区中，MS实际最大发射功率为（）。
已知谐振功率放大器工作在临界状态，晶体管转移特性的斜率g=10ms，Uj=0.5V，Eb=-0.5V，Ubm=2V，晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V，Ec=24V。 求（1）集电极效率ηc； （2）集电极负载谐振电阻Rc？
晶体管功率放大器工作于临界状态，已知Ec=35V，Rc=200Ω，Ic0=100mA。求Po，ηc？
某谐振高频功率放大器，已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.5mS，Uj=0.6V，Ec=24V，Eb=-0.2V，输入电压Ubm=2V，Rc=50Ω。试求：Icmax，Ucm，ηc？
某一晶体管谐振功率放大器，设已知Ec=24V，Po=5W，Ic0=250mA，电压利用系数等于1。求Ic1m，ηc，Pc，Rc？
用3DA4高频功率管装成放大器，测得fT=1MHz，β=20，额定输出功率Po=20W，晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导，要做成2MHz的谐振功率放大器，选定Ec=24V，θ=70°，Icmax=2.2A，α0（70°）=0.253，α1（70°）=0.436，并工作在临界状态。试计算P0，Ps，PC和ηc。
已知：rapid_pwr_down=1,rpd_offset=8,rpd_trigger=40,BTS测得UL_RXLEV=-60dBm，MS功率级别=5，求：MS所调整到的功率电平（）
图NP2-9所示为末级谐振功率放大器原理电路，工作于临界状态。图中C<sub>2</sub>为耦合电容，输出谐振回路由管子输出电容、L<sub>1</sub>,L<sub>2</sub>和C<sub>1</sub>组成，外接负载天线的等效阻抗近似为电阻。将天线短路，开路(短时间)，试分别分析电路工作状态如何变化？晶体管工作是否安全？
已知VCC=12V，UBE（on)=0.6V，VBB=－0.3V，谐振功率放大器工作在临界状态Ucm=10.5V，要求输出功率Po=1W，θ=60°，试
已知、rapid_pwr_down=1、rpd_offset=8、rpd_trigger=40、BTS测得ul_rxlev=-60dBm、MS功率级别=5，求、MS所调整到的功率电平()。
已知某理想乙类功率放大电路晶体管的PT1m=2W，则该放大电路的最大输出功率可达 。
高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（） （A）益太大 （B）通频带太宽 （C）晶体管集电结电容Cb’c的反馈作用 （D）谐振曲线太尖锐
4、谐振功率放大器输入回路直流偏置电压UBB = - 0.2 V，晶体管导通电压UBE（on) = 0.6 V，交流输入电压振幅Ubm = 1.6 V。则该谐振功放的通角q为（）。
