已知谐振功率放大器，晶体管转移特性的斜率Eb=-0.2V，Ec=24V，Uj=0.6V，gcr=0.4A/V，Rc=50Ω，Ubm=1.6V，Po=1W，求Icmax，Ucm，ηc？
某一晶体管功率放大器，已知Ec=24V，Po=5W，Ic0=250mA，电压利用系数ζ=1.求Ps，ηc，Rc，Ic1m？
已知一高频放大器，Ec=12V ，负载谐振电阻Rc=25 Ω，其集电极脉冲电流的参数Icmax=1A，θ=65° ，α0（65°）=0.236，α1（65°）=0.414。试计算 P0,PS,ηc。
某谐振高频功率放大器，已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.9S，Uj=0.6V，Ec=18V，Eb=-0.5V，输入电压Ubm=2.5V，Ucm=16V集电极电流脉冲幅值Icmax=1.8A，且放大器工作于临界状态。试求：Ps，Po，Pc，ηc？
有一谐振功率放大器，已知晶体管的gc=2000ms，Uj=0.5V，Ec=12V，谐振电阻Rc=130Ω，集电极效率ηc=74.6%，Po=500mW，θ=90°，且工作于欠压状态。试求：Ucm，Ic1m，Ic0，Icmax？
某谐振功率放大器工作于临界状态，已知Ec=24V，饱和临界线斜率gcr=0.6S，导通角θ=80°，Po=2W。试求：Ps，Pc，ηc？
晶体管3DG12B组成谐振功率放大器，已知电源电压Ec=18V，Ucm=16V，Icmax=236.5mA。电压利用系数ζ=0.94，gcr=0.219S，θ=80°，且放大器工作于临界状态。试求：Ps，Po，Pc，ηc？
已知谐振功率放大器工作在临界状态，晶体管转移特性的斜率g=10ms，U=0.5V，Eb=-0.5V，Ubm=2V，晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V，Ec=24V。 求（1）导通角θ； （2）输出电压振幅值Ucm
某谐振高频功率放大器，已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS，Uj=0.5V，Ec=24V，Eb=-0.5V，输入电压Ubm=2V，gc=10mS，且放大器工作于临界状态。试求：Ps，Po，ηc？
某谐振高频功率放大器，已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS，Uj=0.5V，Ec=24V，Eb=-0.5V，输入电压Ubm=2V，gc=10mS，且放大器工作于临界状态。试求：θ，Ic0，Ic1m，Ucm？
已知晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导gcr=0.8A/V ，用此晶体管做成的谐振功放电路的Ec=24V ，θ=70° ，Ic max=2.2A ，α0(70°)=0.253 ，α1(70°)=0.436并工作在临界状态。试计算PO ,PS,ηC,Rcp。
有一个用硅NPN外延平面型高频功率管3DA1做成的谐振功率放大器，已知EC=24V，P0=2W，工作频率为1MHz，Uces=1.5V，Pcmax=1W，Icm==750mA。求Ucm，Rcm，Ic1m，Ic0？ （α1（70°）=0.436，α0（70°）=0.253）
设某谐振功率放大器工作在临界状态，已知电源电压Ec=36V，集电极电流导通角θ=70°，集电极电流的直流分量为100mA，谐振回路的谐振电阻Rc=200Ω，求放大器的输出功率Po，效率ηc？
一高频功率放大器工作在临界状态，已知Ec=18V，gcr=0.6A/V，θ=90°。若要求Po=1.8W，求Ps，Pc，ηc，Rc？
已知谐振功率放大器工作在临界状态，晶体管转移特性的斜率g=10ms，Uj=0.5V，Eb=-0.5V，Ubm=2V，晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V，Ec=24V。 求（1）集电极效率ηc； （2）集电极负载谐振电阻Rc？
高频功率放大器工作在临界状态，已知cc = 30 V，Eb = Uj = 0.6 V，电压利用系数 ，gcr = 0.4 A/V，求Po，Ps，Pc，ηc？
晶体管功率放大器工作于临界状态，已知Ec=35V，Rc=200Ω，Ic0=100mA。求Po，ηc？
用3DA4高频功率管装成放大器，测得fT=1MHz，β=20，额定输出功率Po=20W，晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导，要做成2MHz的谐振功率放大器，选定E<sub>c</sub>=24V，θ=70°，Icmax=2.2A，α0（70°）=0.253，α1（70°）=0.436，并工作在临界状态。试计算IC0，Ic1m和Rc。
某谐振高频功率放大器，已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.5mS，Uj=0.6V，Ec=24V，Eb=-0.2V，输入电压Ubm=2V，Rc=50Ω。试求：Icmax，Ucm，ηc？
某一晶体管谐振功率放大器，设已知Ec=24V，Po=5W，Ic0=250mA，电压利用系数等于1。求Ic1m，ηc，Pc，Rc？
用3DA4高频功率管装成放大器，测得fT=1MHz，β=20，额定输出功率Po=20W，晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导，要做成2MHz的谐振功率放大器，选定Ec=24V，θ=70°，Icmax=2.2A，α0（70°）=0.253，α1（70°）=0.436，并工作在临界状态。试计算P0，Ps，PC和ηc。
某高频功率放大器，已知Ec=12V，Eb=0.4V，Icmax=600mA，输入电压ub=0.4cosωtV，输出电压uce=10cosωtV。 试求：直流电源输入功率Ps； 高频输出功率Po，集电极损耗功率Pc，效率ηc？
已知VCC=12V，UBE（on)=0.6V，VBB=－0.3V，谐振功率放大器工作在临界状态Ucm=10.5V，要求输出功率Po=1W，θ=60°，试
【计算题】某高频功率放大器工作在临界状态，已知其工作频率f＝520MHz，电源电压EC=25v，集电极电压利用系数ξ=0.8，输入激励信号电压的幅度Ubm =6v，回路谐振阻抗Re=50Ω，放大器的效率ηC＝75％。 求：（1)Ucm、Ic1m、输出功率Po、集电极直流能源PD及集电极功耗PC （2)当激励电压Ubm增加时，放大器过渡到何种工作状态？当负载阻抗Re增加时，则放大器由临界状态过渡到何种工作状态？
