绕组tgδ与原始值比较（）可能是缺陷的反映，同一变压器各绕组tgδ应基本一致。
介质损耗tanδ主要反映设备绝缘的集中性缺陷。
在“预规DL/T 5961996”中，对（）等绝缘，因为缺陷的集中性及体积大，通常不做tgδ测试。而对互感器、套管、电容器等则要做tgδ测试。
直方图可以直观地反映出产品质量的分布情况（）
介损tgδ不能发现的缺陷有（）。
测量tgδ值是判断电气设备绝缘状态的一项灵敏有效的方法。
一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%，绝缘电阻10000MΩ，末屏对地绝缘电阻为60MΩ，介损tgδ值16.3%，是否可以继续运行（）。
对一台LCWD2-110电流互感器，根据其主绝缘的绝缘电阻10000Ω、tgδ值为0.33%；末屏对地绝缘电阻60MΩ、tgδ值为16.3%，给出了各种诊断意见，其中（）项是错误的。
在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。
通常把绝缘电阻、泄漏电流、介损tgδ、油的化学性能等的试验叫作绝缘的予防性试验，试说明这些试验项目可以发现的绝缘缺陷的类型。
tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。
可以比较灵敏地反映出植物的水分状况的生理指标主要有：（）、（）、（）和（）。
绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随电压的升高而明显增加。
当绝缘内的缺陷不是整体分布性的，而是集中在某一小点，介质损耗正切值tanδ对这类局部缺陷的反应（）。
绝缘的tgδ与哪些因素有关？
当绝缘受潮、老化时，有功电流IR将增大，tgδ也增大。通过测量tgδ很灵敏地反映出绝缘的集中缺陷。
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况。
在设备工作电压下测试流经设备绝缘的电流I、电容C、介质损耗因数tgδ，能够比较有效地提高设备的运行可靠性。（)
LBC30416不会导致绝缘击穿的试验叫做非破坏性试验。通过这类试验可以及时地发现设备的绝缘缺陷（）
若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1=5%,C1=250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2=0.4%,C2=10000pF,则设备整体绝缘试验时,其总的tgδ值与（）接近
对于电容量较大的试品（例如套管、互感器等），测量tan δ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较小的试品（例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量tanδ只能发现整体分布性缺陷。
当绝缘内的缺陷不是整体分布性的，而是集中在某一小点，介质损耗正切值tanδ对这类局部缺陷的反应较灵敏（）
7、根据粉体的粒度分析数据，通过数学方法将其整理归纳出足以反映其粒度分布规律的数学表达式称为 ，它能更准确地表达粒度分布规律。
