二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
在晶体二极管的两端加反向电压时，反向电阻很大，反向电流很小，基本处于（）状。
PN结反向漏电流是由（）产生的。
在晶体二极管的反向截止区、反向电流随反向电压的增大而迅速增大。（）
什么是晶体三极管的集电极―基极反向饱和电流ICBO？
晶体三极管对电流有反向截止作用。
关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。
当晶体管上的反向电压高于某值，反向电流会突然增大，这个电压叫（）。
若反向漏电流较大，则说明二极管性能不好。（
PN结的反向漏电流（）而急剧增大。
在晶体二极管的两端加反向电压时，反向电阻很大，反向电流很小，基本处于（）状态。
电路如图所示，D 1 、D 2 均为硅管（正向压降0．7V），D为锗管（正向压降0．3V），U=6V，如果二极管的反向电流为V，则流过D 1 、D 2 的电流分别为：（） https://assets.asklib.com/psource/2015102716062735611.jpg
东风8B型内燃机车在常温下主整流柜硅整流元件加2800V反向重复峰值电压检测时，其漏电流不大于（）。
常温下，整流组件加2800V反向重复峰值电压检测时，其漏电流应不大于（）。
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
连接在电路中的二极管，当温度升高时，二极管的正向漏电流和反向击穿电压分别会（）。
硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。
反向漏电流IR习惯指反向电压在 时的反向漏电流。
非线性电阻元件具有正反向相同的很陡的伏安特性。正常工作时，漏电流极小。遇.到浪涌电压时反应快，可通过数安培的放电电流，因此，抑制过电压能力强（）
当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。（晶体管）
3、3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U（BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。
当反向电压小于反向击穿电压时，二极管2的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（)
变流装置功率因数补偿用品闸管KPA900—46，测试电压为4600V时，断态（反向）重复峰值电流IRRM、IDRM不大于（）mA（25℃）
