光电二极管的响应速度比光电三级管约高一个数量级，比锗管约高一个数量级。
某光电二极管的的响应速度R=0．65A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。
从测线上观测到某一波的速度V*=2000m/s，其传播的视周期为T*=0.1S，求该波的视波长及视频率.
为了提高光电二极管的响应频率，应适当加大（）。
采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。
简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。
某中继段长50km，今测得其中某根光纤在1550nm的平均损耗为0.2dB/km，如发端光功率为0dB，波长为1550nm，则经此光纤传输后，接收端信号功率变为（）dB。
硅光电池的光谱响应波长范围比锗光的光谱响应波长范围广。
采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。
光接收器件主要有发光二极管（LED）和雪崩光电二极管（APD）。
对于采用PIN光电二极管作检测器的接收机，（）是影响接收机灵敏度最主要的因素。
某PIN光电二极管的量子效率η=70%，接收波长为1550nm，则此光电二极管的响应速度Ｒ为（）。
PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而()。
某光纤通信系统工程采用G.652光纤，工作波长1310nm，平均发送光功率PT=-3dBm（S点），PE为10-10时，光接收灵敏度为PR=-36dBm（R点），最大光通道代价PP=5dB，S、R点间活动连接器损耗之和∑A=0.4dB；LS=0.1dB/km，MC=0.1dB/km，光纤平均损耗系数0.4dB/km，计算其中继距离。
有一硅光电二极管，其光敏面积为2mm2，在室温下测得输出光电流为15μA（一般硅光电二极管的灵敏度SI=0.5μA/μW)，
5、影响半导体光电二极管响应速度的因素有 （)
已知某Si－PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A／W，一个光子的能量为2.24×10－19 J，电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W，一个光子的能量为2.24×10-19 J，电子电荷量为1.6×10-19 C，则该光电二极管的量子效率为()
光电二极管可将光信号转变为电信号。其特点是光电二极管的反向电流与照度成（）。在信号传输中，将电信号变为光信号，通过电缆传输，然后光电二极管接收，在转变成电信号。（这种器件的PN结在反向偏置状态下运行，它的反向电流随光照强度的增加而上升。）
沿绳子行进的横波波函数为y=0.10cos（0.01πx-2πt)m。试求：（1)波的振幅、频率、传播速度和波长;（2)绳上某质点的最大横向振动速度。
Si光电二极管的光谱响应频段（)。
某光电管阴极,对于λ=491 nm的入射光,其发射光电子的遏止电压为0.71V.当入射光的波长为________________ nm 时,其遏止电压变为1.43 v.
钾的截止频率为4.62x10<sup>14</sup>Hz，用波长为435.8nm的光照射，能否产生光电效应？若能产生光电效应，发出光电子的速度是多少？
用如图6－33中双散射光路测水速。两束光夹角为45°。水流方向与光轴方向垂直，流水中掺有散射颗粒，若光电倍增管接收到的信号光频率为1MHz，所用光源为He－Ne，其波长为632.8nm，求水流的速度。
