常用的半导体光电检测器有PIN光电二极管和（）两种。
光电二极管的响应速度比光电三级管约高一个数量级，比锗管约高一个数量级。
半导体光检测器主要有两类：PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD） APD管由于其灵敏度比较高一般为__dBm左右,适用于长距离传送
常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。
某光电二极管的的响应速度R=0．65A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。
为了提高光电二极管的响应频率，应适当加大（）。
采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。
简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。
简述PIN型的光电二极管的及特点？
已知：R0=28H（28H）=46HMOVA，#32HMOVA，45HMOVA，@R0执行结果A的内容为（）。
某光电二极管的的响应速度R=0．8A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。
采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
对PIN光电二极管优点描述不正确的是（）。
已知：MOVA，#28HMOVR0，#20HMOV@R0，AANLA，#0FHORLA，#80HXRLA，@R0执行结果A的内容为（）。
已知R0=45H，A=0DAH，片内地址45H的字节值为68H，执行指令”AddA，@R0”以后，A、CY、OV分别为（）
一般PIN光电二极管在入射光功率（）毫瓦量级时，能够保持比较好的线性。
对于采用PIN光电二极管作检测器的接收机，（）是影响接收机灵敏度最主要的因素。
某PIN光电二极管的量子效率η=70%，接收波长为1550nm，则此光电二极管的响应速度Ｒ为（）。
PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而()。
有一硅光电二极管，其光敏面积为2mm2，在室温下测得输出光电流为15μA（一般硅光电二极管的灵敏度SI=0.5μA/μW)，
5、影响半导体光电二极管响应速度的因素有 （)
Si光电二极管的光谱响应频段（)。
已知（A)=12H,（R0)=71H,（71H)=55H,执行指令ORLA,@R0后,A中的内容是（)。
已知某电池反应为A+ + 0.5B2-↔A + 0.5B，当反应方程式改为2A+ + B2-↔2A+B时，此方程的EӨ不变， ΔrGmӨ改变
