电流在外电路中从高电位流向低电位（）
GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏的主要原因。二次击穿将造成GTR的永久性损坏，不具有可逆性。发生二次击穿必须同时具备三个条件，即高电压、大电流和（）。
电流在电场作用下，从高电位流向低电位，表示电压（）。
在电路中，电流总是从高电位流向低电位，因此电流的方向与电压的方向总是一致的？
电流从高电势点流向低电势点时，电场做正功，电流从低电势点流向高电势点时，电源做正功
R、L、C串联电路接入恒压源瞬间，三个元件上的电压u、uL、uC和电路中的电流i这四个量中，不能跃变的是（）。
从三相电流互感器二次侧的（）可以获得零序电流，从电压互感器二次侧的（）可以获得零序电压。对于220kV发生单相接地故障的线路来说，其两端零序功率的实际流向是从（）流向（），（）的零序电压最高，（）接地处零序电压等于零。
大功率晶体管GTR过电流保护有（）方式。
电力系统中（）功率是从电压幅值高的一端流向低的一端，（）功率是从相角超前的一端流向相角滞后的一端。
晶体管可以把小电流放大成大电流。
在元件的电抗比电阻大得多的的高压电网中，无功功率从电压高的一端流向电压低的一端，有功功率则从电压相位越前的一端流向相位落后的一端，这是（）。
在电路中，电流总是从高电位流向低电位，则电流的方向与电压的方向总是一致。
晶体管可以把小电流放大成大电流
晶体硅电池组件的主要电气性能有 开路电压（Voc） 、 短路电流（Isc） 、（峰值功率电流(Im)）、（峰值功率电压(Vm)）、 峰值功率(Pm ) 、（填充因子( )）、（转换效率（Eff））、系统最大工作电压。
晶体硅电池组件的主要电气性能有开路电压Voc、短路电流Isc、峰值功率电流(Im)、峰值功率电压(Vm)、峰值功率(Pm)、填补因子(FF)、变换效率Eff、系统最大工作电压。（）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）
必须使电路两端有（)，这样电流才能从高电位点流向低电位点。
12、电容电压和电感电流不能跃变的原因是（）
PNP和NPN型晶体三极管具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而巳（）
晶体二极管的特性：具有单向导电性，只有在正向电压时截止，而在反向电压时不能导通，即它使电流只能从负极流向正极。此题为判断题(对，错)。
电流从高电势点流向低电势点，电场力做正功。（)
晶体三极管可以把小电流放大成大电流。（)
4、在电路换路瞬间，电感两端电压和电容支路中的电流是可以跃变的。
31、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）
