中国科学院物理所半导体研究室在（）领导下开展硅材料的研究，于1958年获得中国第一根硅单晶，为中国在1960年正式全面开展半导体硅器件的研制创造了先决条件。
半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
半导体硅常用的受主杂质是（）。
硅二极管具有（）导电性能。
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
通常把（）和（）作为衡量半导体储存器性能的重要指标。
半导体材料具有以下特性（）。 （1）在常温下具有明显的导电性能（2）当温度升高时，电阻将降低（3）不同部位的导电性能极不均匀
由汽车用硅整流发电机的输出特性可知，它具有（）充电性能好的优点。
半导体二极管具有（）的性能。
在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在（）以上。
具有良好导电性能的物体称为半导体。
高硅铸铁管具有很高的耐腐蚀性能。
具有良好导电性能的物体称为导体。
交联电缆导体使用的导体材料，首先必须具有良好的导电性能。
硅半导体二极管的死区电压约为（）。
工业产品质量特性通常包括性能、寿命、可靠性、安全性、经济性等。
晶闸管是具有3个PN结、（）极的硅半导体器件。
在纯净的半导体硅中加入少量的三价元素，形成（）。
半导体是依赖于缺陷进行工作的材料，它的性能在很大程度上取决于材料的纯度。用于光伏发电的硅材料对纯度一般要达到
晶闸管是具有（)个PN结、（)极、（)极和（)极的硅半导体器件。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
半导体硅的光谱响应范围是（）
1、与第一代半导体材料硅锗相比，第二代半导体材料砷化镓具有的优势在于：________________________。
5、硅橡胶硅氧链呈螺旋形构型，分子链的柔韧性较C-C键或Si-C键大，具有优异的物理机械性能。
