在硅或锗本征半导体中掺如微量的（）就可得到N型半导体。
制作整流器和集成电路需要在半导体中掺入杂质。
（）的打印头是一种带有发热电阻的薄膜头，是利用半导体集成电路技术制造而成的
霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体基片，且电流方向与磁场方向垂直上，电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移，在（）电流与磁场的半导体基片的横向侧面上，将产生一个（）。
霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
由于单晶硅基片的制造技术和（）等的半导体技术有很多的共同点，因此新技术从半导休整上导入是有右能的，最近引人注目的技术之一是（）。
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。
半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是（）。
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
将二极管、三极管的部分阻容元器件及电路连线全部集中制作在一块半导体基片上，构成单元电路，称之为（）简称IC。
半导体压敏电阻式增压压力传感器当发动机运转时，进气流作用在硅膜片上，使硅膜片产生应力，应变电阻的阻值会发生变化，电桥输出（）也随之变化。
SAW加速度传感器能够实现固态化,直接输出频率信号,精度高、灵敏度高,采用半导体工艺制作,便于批量生产,可靠性、但其一致性较差。
随着半导体器件与集成技术在传感器中的应用，传感器的信号调理转换电路与（）集成在同一芯片上，安装在传感器的壳体里。
在硅半导体中掺入少量的磷杂质，这种半导体一般称为（）型半导体。
用半导体的微细加工技术，在非晶基片上通过使用微细的表面结构，考察了单晶成长方法，并命名为（）
把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）
在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。（）
军用微电子技术是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新技术,特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快,它可以使武器实现可实用的小型化、微型化。
微电子技术是指在几平方毫米的半导体单晶芯片上，用微米甚至亚微米的精细加工技术，制成由万个以上小晶体管构成的微缩单元电子电路，并应用这些电路装配成各种微电子设备的总称。()
20、世界上第一块硅半导体集成电路是（）发明的.
集成电路是指以（)晶体材料为基片，采用专门的工艺技术将组成电路的元器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上的微小型化电路或系统。
由于半导体三极管的基片材料不同，三极管可分为NPN型和PNP型两大类（）
