用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
在“预规DL/T 5961996”中，对（）等绝缘，因为缺陷的集中性及体积大，通常不做tgδ测试。而对互感器、套管、电容器等则要做tgδ测试。
现场环境温度为20℃测得220kV膜纸绝缘电容式电压互感器介质损tgδ值为0.4%。合格
若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
电流互感器出厂试验，对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏（末屏），在测量电压为3kV下的介质损耗因数（tanδ）允许值不应大于（）。
试品电容量约为15000pf，当用10kvqs1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在()档
测量电容器的tanδ及电容量测量时，不必断开电容式电压互感器二次侧空气开关。（）
分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
当测量电流互感器的tgδ时，选用电压为10KV的变压器容量为（）KVA。
用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量，操作不正确的是（）。
500kV电容式电压互感器不拆高压引线测量tgδ时，适用的方法不包括（）。
油浸式电流互感器采用比较法带电测试tanδ及电容量时，同相设备介损测量差值与初始测量值差值比较，变化范围不超过_A_，电容量比值与初始测量电容量比值比较，变化范围不超过（）。
电容型变压器套管在安装前必须做两项实验：tgδ及电容量的测量。
对运行中330-500KV的油纸电容式电流互感器，第一次绕组连同套管一起的介质损耗因数tgδ在20℃时的值，规程中规定低于（）为合格。
用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
膜纸复合的电容式电压互感器电容单元介质损耗因数tanδ测量交接试验标准正确的是（）
