测量tgδ时,为何要选择QS1电桥的分流位置?
现场测试中,使用QS1电桥测tgδ%,下列设备哪些适合正接线。()
测量变压器整体对地介损tgδ,可采用介损仪正接线及反接线。
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?
采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时,可选择接线方法是()。
测量一台110kV电力变压器,高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ,当tgδ不合格时,一般表明其高压套管tgδ不合格。
若试品的电容量为10000pF,测量介损tgδ时加压10kV,试验变压器容量选择应不小于()kVA。
用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。
测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器,其主绝缘介损tgδ值为0.33%;末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%,以下几种诊断意见,其中()哪项是错误的。
在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。
用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
绘图题:画出用QS1型西林电桥测量-tgδ的原理接线图(正接线)。
用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。
变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时,对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
一支220KV套管运行一年后,其介损tgδ值由0.28%上升到4.23%,可能原因是()。
绘图题:画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时,如连接试品的Cx引线过长,则应从测得值中减去引线引入的误差值,此误差值为()。(其中C0为Cx引线增长部分的电容值;R3为测试时桥臂R3的读数;R4为桥臂R4的值)。
小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。
用QS1型西林电桥测tgδ,消除电场干扰的方法有哪些?
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。
采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。
35kV变压器出厂验收时,绕组连同套管对地及其余绕组间的介损tgδ不大于()%