PN结的P区接电源负“极”,N区接电源正极,称反向偏置接法。()
PN结的单向导电性是指它的正向电阻很大,反向电阻很小。
PN结的正向接法是()。
三极管工作在放大状态时,PN结的偏置状态是()。
什么叫PN结的反向击穿?
PN结的基本性质是单向导电性,即外加正向电压时呈低阻性,它导通,外加反向电压时呈高阻性,它截止。
PN结的P区接电源负极,N区接电源正级,称为()偏置接法。
三极管工作在饱和区时,两个PN结的偏量是:发射结加正向电压,集电极加正向电压。
如果在PN结的两端加一个电压,其方向是(),这个外加电压称为正向电压。
三极管工作在饱和区时,两个PN结的偏置是:()加正向电压,()加正向电压。
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()
PN结的正向电流随正向电压的增加而按指数规律增大。
PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。
PN结正向偏置时,内、外电场方向 ;PN结反向偏置时,内、外电场方向 。
PN结正向偏置时,其内电场被()
3、PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。
【判断题】正向偏置电压使PN结空间电荷区窄,反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
()用R×1k档对PN结进行测量时,硅材料PN结的正向阻值为3k~7k欧姆之间,反向阻值为无穷大
PN结的单向导电性把一个二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为0的电池正向连接,该二极管()
PN结的单向导电性二极管的正向电阻()反向电阻
PN结的P区接电源负载,N区接电源正极,称反向偏置接法()
三极管放大时,内部两个PN结的偏置状态应为()
9、晶体管截止时,两个PN结的偏置关系是 。
PN结正向偏置时,电阻小,反向偏置时,电阻大。()