关于放射源的选择，描述不正确的是（）

A . 20世纪30年代开始用物理剂量伦琴（R） B . 20世纪60年代后开始出现吸收剂量拉德（raD. C . 换算关系：lGy=100rad D . Gy是用于射线防护领域的计量单位 E . 早年的近距离治疗曾经以镭毫克数乘以时间小时进行计量换算

A . 原发肿瘤伴有转移，如果是再次住院只对继发性肿瘤进行治疗，仍要以原发性肿瘤作为主要断 B . 未指明原发部位的继发肿瘤，以继发肿瘤作为主要编码 C . 肿瘤采用放、化疗治疗，如果是首次就诊，选择原发或继发肿瘤作为主要诊断 D . 肿瘤采用放、化疗治疗，如果是再次住院，选择放疗或化疗作为主要诊断 E . 化疗或放疗的病人在治疗期间死亡，选择肿瘤的编码为主要编码

A . 单纯放疗6000～7000cGy／6～7w B . 采用侧卧位，垂直照射 C . 声门上区癌放疗包括范围较广 D . 早期声门癌放疗不必包括淋巴引流区 E . 声门下区癌野下界应包括锁骨及食管颈段、主气管、甚至上纵隔

A . 姑息性放射治疗是为了改善患者生活质量 B . 姑息性放射治疗主要追求肿瘤的消退 C . 姑息性放射治疗相对于根治性放射治疗照射剂量低 D . 姑息性放射治疗治疗时间较短 E . 姑息性放射治疗其目的主要是减轻患者症状

A . 分离应彻底、迅速 B . 操作应简便，重复性好 C . 分离过程应不影响免疫复合物的形成 D . 分离效果应受反应介质影响 E . 试剂来源容易，价格低廉

A . 单纯放疗6000～7000cGy/6～7w B . 采用侧卧位，垂直照射 C . 声门上区癌放疗包括范围较广 D . 早期声门癌放疗不必包括淋巴引流区 E . 声门下区癌野下界应包括锁骨及食管颈段、主气管、甚至上纵隔

A . 中枢神经系统肿瘤多选用6～10MV高能X线 B . 头颈部鳞癌原发灶应选用 Coγ线或4～6MV高能X线 C . 头颈部肿瘤颈部淋巴引流区可选用合适能量的电子线对局部浅层补量 D . 头颈部肿瘤原发灶可选用 Coγ线或4～6MV高能补量 E . 颈部淋巴引流区可选用合适能量的电子线对局部浅层补量

A . 20世纪30年代开始用物理剂量伦琴（R） B . 20世纪60年代后开始出现吸收剂量拉德（raD. C . 换算关系：lGy=100rad D . Gy是用于射线防护领域的计量单位 E . 早年的近距离治疗曾经以镭毫克数乘以时间小时进行计量换算

A . 不必使用立体定位框架 B . 精确重建治疗部位三维图像 C . 能模拟常规定位机的射野选择功能 D . 具有逆向算法功能 E . 射野核实

A . 不必使用立体定位框架 B . 精确重建治疗部位三维图像 C . 能模拟常规定位机的射野选择功能 D . 具有逆向算法功能 E . 射野核实

A . 分为图片和图书两大类 B . 主题以婴儿熟悉的自然科学或生活事物为主 C . 色彩鲜艳，形象，线条逼真图形简单 D . 图片的内容要丰富，人物、动物越多越好

A . 总成本中应考虑控制措施维护成本 B . 只要控制措施有效，不管成本都应该首先选择 C . 首先要考虑控制措施的成本效益 D . 应该考虑控制措施实施的成熟度

A、姑息性放射治疗是为了改善患者生活质量 B、姑息性放射治疗主要追求肿瘤的消退 C、姑息性放射治疗相对于根治性放射治疗照射剂量低 D、姑息性放射治疗治疗时间较短

A . 患者采取仰卧位 B . 采用双侧水平野照射 C . 多采用一前、一侧两野交角90°照射 D . 上颌窦癌的根治剂量为7000cGy／7w E . 采用两前野交角45度照射

A . 我国的放射治疗是从新中国成立以后开始的 B . 中华放射肿瘤学会是1987年成立的 C . 1988年起发行中华放射肿瘤学杂志 D . 2001年的调查显示直线加速器的数量为342台 E . 2001年的调查显示开展放射治疗的医院有264家

A . 中枢神经系统肿瘤多选用6～10MV高能X线 B . 头颈部鳞癌原发灶应选用Coγ线或4～6MV高能X线 C . 头颈部肿瘤颈部淋巴引流区可选用合适能量的电子线对局部浅层补量 D . 头颈部肿瘤原发灶可选用Coγ线或4～6MV高能补量 E . 颈部淋巴引流区可选用合适能量的电子线对局部浅层补量

A . 是通过一定途径引入体内获得靶器官或组织的影像或功能参数 B . 亦称为显像剂或示踪剂 C . 多采用发射β射线的核素 D . 所选用的核素能量以100～300keV为宜 E . 所选用的核素穿透力强、电离密度低

A . 患者采取仰卧位 B . 采用双侧水平野照射 C . 多采用一前、一侧两野交角90°照射 D . 上颌窦癌的根治剂量为7000cGy／7w E . 采用两前野交角45度照射

A . 晶体的作用是把射线的辐射能转换成脉冲信号 B . 用于γ射线探测最常用的是碘化钠晶体 C . 碘化钠晶体是以NaI为基质 D . 碘化钠晶体常掺以适量的碘化铊 E . 碘化钠晶体通常表示为NaI（Tl）