二极管的正极与PN结的P区连接,负极与PN结的N区相连。
PN结外加反向电压时,外力日电场的方向与自建电场的方向一致,使空间电荷区(),势垒加高。
一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中()。
三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为()。
三极管工作在饱和区时,两个PN结的偏量是:发射结加正向电压,集电极加正向电压。
PN结中P区的多数载流子是(),N区的多数载流子是()。
晶闸管有P、N、P、N四层结构,()PN结。
对于PN结,当P端接电源正极,N端接电源负极时,PN结处于()状态。
把N型和P型半导体有机结后在一起,通过扩散运动在交界处就形成了空间电荷区。()
由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有()导电性,其中N极接正,而P极接负的电压称为()电压,此时PN结截止。
对于一个PN结,如果反偏电压降低,耗尽区宽度将减小。
P N 结加正向电压时,P N 结 _ ____________ ;加反向电压时,P N 结截止 。这种特性称为P N 结的单向导电性。
PN结加正向电压时,空间电荷区将( ),加反向电压时,空间电荷区将( )。
17、太阳能电池短路状态时,在耗尽区内的光生载流子受内建电场影响而分离,电子向P区漂移,空穴向N区漂移,产生由P区流向N区的漂移电流。
【判断题】正向偏置电压使PN结空间电荷区窄,反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时,空间电荷区将()
半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄()
16、PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
PN结内部的()方向总是指向P区。
将PN结P区接电源正极,N区接电源负极,此时PN结处于()偏置。
PN结空间电荷区又称为__,在平衡条件下电性呈__,P区侧应带__,N区一侧应带__内建电场方向从__指向__
当电源正极接P区、负极接N区时,称为给PN结加反向电压或反向偏置()