任何物体表面都存在着表面张力，其方向总是垂直于物体表面指向物体内部。
单结晶体管内部有（）个PN结。
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
晶闸管的内部结构具有4个PN结
PN结外加反向电压时，外力日电场的方向与自建电场的方向一致，使空间电荷区（），势垒加高。
功率二极管内部有（）个PN结。
三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为（）。
晶闸管有P、N、P、N四层结构，（）PN结。
对于PN结，当P端接电源正极，N端接电源负极时，PN结处于（）状态。
PN结内部（）。
当未加外部电压时，PN结中电流从N区流向P区。
由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有（）导电性，其中N极接正，而P极接负的电压称为（）电压，此时PN结截止。
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。
PN结正向偏置时，内、外电场方向 ；PN结反向偏置时，内、外电场方向 。
晶闸管内部具有PN结（）
PN结具有单向导电性，其导电方向是从（)区到（)区。
【判断题】正向偏置电压使PN结空间电荷区窄，反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
单向晶体管内部有（）PN结
将PN结P区接电源正极，N区接电源负极，此时PN结处于（）偏置。
PN结空间电荷区又称为__，在平衡条件下电性呈__，P区侧应带__，N区一侧应带__内建电场方向从__指向__
7、PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电。
