短沟道效应
离子注入的沟道效应
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。
沟道长度调制效应
沟道效应
D沟道型场效应管中的载流子是（）
（）电导具有霍尔效应，离子电导具有电解效应，从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的（）。
增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
窄沟道效应
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
沟道电导
沟道电导调制
N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压
P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
绝缘栅场效应管工作原理对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在（）区
7、P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（）。
N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高，沟道电阻（）
47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。
1、工作在饱和状态的场效应管，沟道形状的描述正确的是______。
开启电压UGE（th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。
结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（）
