短沟道效应
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
沟道长度调制效应
沟道效应
沟道电导调制效应
D沟道型场效应管中的载流子是（）
侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
窄沟道效应
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）
N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压
P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
绝缘栅场效应管工作原理对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在（）区
7、P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（）。
N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高，沟道电阻（）
47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。
10、P沟道增强型场效应管工作在恒流区时，外加栅源电压vGS的极性为______。
1、工作在饱和状态的场效应管，沟道形状的描述正确的是______。
19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。
