导体中的自由电子在（）作用下，做有规则的定向运动，就形成了电流。
霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体基片，且电流方向与磁场方向垂直上，电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移，在（）电流与磁场的半导体基片的横向侧面上，将产生一个（）。
霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。
当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流流过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
关于导体电阻的正确说法是，因为电阻R=U/I，所以导体的电阻与外加电压成正比。与流过的电流成反比。
导体中的自由电子在（）的作用下，作定向移动形成电流。
金属导体内存在大量的自由电子，当自由电子在外加电压作用下出现定向移动便形成电流，因此自由电子移动方向就是金属导体电流的正方向。
一导体中，在外加电压的作用下，所通过的电流与所加电压成正比，与导体电阻成反比。（）
当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流流过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
任何导体在电压作用下都必然产生电流。
热击穿是绝缘物在外加电压作用下，由于流过泄漏电流引起温度过分升高所导致的击穿。
导体中的自由电子，在电场力的作用下做无规则的运动，就形成了电流。
P(Positive) 型半导体主要依靠价带中的（ ）导电。
半导体二极管的主要特点是具有（ ）。A、电流放大作用 B、单向导电性 C、电压放大作用
电流就是在一定的外加条件下（如接上电源)导体中大量电荷（)的定向运动。
导体的两端加上一定的电压,导体中的自由电荷在电场力的作用下发生定向移动,形成电流（）
半导体的导电特性及PN结PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零（）
在某一温度下，连接在电路中的两段导体RA和RB中的电流与其两端电压的关系分别如图乙中的图线A、B所示，问： （1）RA的阻值； （2）RB的阻值； （3）如图甲把RA和RB连接在3V的电源上时，则电流表的读数是多少？
对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。
|任何导体在电压作用下都必然产生电流。
导体中的自由电子在电场力的作用下做有规则的定向移动就形成电流（）
P-N结，外加正向电压时，正向电流很小;外加反向电压时，反向电流较大。（)
3、对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？
当半导体两端外加电压时，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动所形成的 电流；一是仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的 电流。
