用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线。（）
采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。
若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线；电桥按正接线方式工作。
试品电容量约为15000pf，当用10kvqs1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在()档
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。
用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
绘图题：画出用QS1型西林电桥测量－tgδ的原理接线图（正接线）。
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
用西林电桥测量tgδ时，若有磁场干扰，试述其消除方法？
变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）
绘图题：画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为（）。（其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值）。
用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）
在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有（）
