存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。
某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目分别为（）。
存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
需要定期刷新的存储芯片是（）。
由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）
用1M×4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M×8的存储器。
某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为（）。
DRAM存储器芯片只要不关电源，信息就不会丢失。
对DRAM芯片的刷新是按（ ）进行的。
半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种，PC机中内存条一般由其中的 芯片组成。
一DRAM芯片内部阵列2048行*1024列_其刷新周期为16ms_读写周期为0.5us_采用分散刷新方式_则芯片刷新一遍需时间。;（）
假定一台计算机的显示存储器用DRAM芯片实现，若要求显示分辨率为1600*1200，颜色深度为24位，帧频为85Hz，显示总带宽的50% 用来刷新屏幕，则需要的显存总带宽至少约为（）
DRAM为什么要定期刷新？刷新方式有哪几种
判断：对DRAM单元的读出是破坏性的_所以DRAM的存储元只在读出后需刷新。;（）
某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为_______。
一DRAM芯片内部阵列2k行*1k列_其刷新周期为16ms_采用分散刷新方式_则两行之间刷新间隔时间为。;（）
某DRAM芯片，其存储容量为512Kx8位，该芯片的地址线和数据线数目分别为（）
在半导体存储器中，动态RM的特点是按字结构方式存储B．按位结构方式存储C．每隔一定时间要刷新一在半导体存储器中，动态RM的特点是按字结构方式存储 B．按位结构方式存储 C．每隔一定时间要刷新一次 D．信息在存储介质中移动
要构建64MB主存空间，使用______结构存储器芯片可以实现。
向SRAM芯片某个存储单元写入数据，该芯片控制信号组合是______。
12、DRAM的刷新方式，是以____为单位进行的。
有一个16K×16位的存储器，由1K×4位的DRAM芯片构成（芯片是64×64结构)。问：（1)共需要多少RAM芯片？（2)采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少（3)如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读／写周期？死时间率是多少？
与DRAM芯片相比，SRAM芯片的特点是______。
1、需要定时刷新的半导体存储器芯片是
