存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。
某半导体静态存储器芯片的地址线为A12～A0，数据线D3～D0，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）
用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写，且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的，称为（1）；可随机读写，但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是（2）：所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为（3）；通过紫外线照射后可擦除所有信息，然后重新写入新的信息并可多次进行的是（4）；通过电信号可在数秒内快速删除全部信息，但不能进行字节级别删除操作的是（5）。 空白（2）处应选择（）
衡量半导体存储器的最重要的指标是存储器芯片的（）和存储速度。
某半导体静态存储器芯片的地址线为A12-AO，数据线为D3~DO，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）
存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
需要定时刷新的存储器是（）
存储器可随机读写，但必须定时刷新才能保持其中的数据不会丢失的是（）
需要定期刷新的存储芯片是（）。
用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写，且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的，称为（1）；可随机读写，但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是（2）：所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为（3）；通过紫外线照射后可擦除所有信息，然后重新写入新的信息并可多次进行的是（4）；通过电信号可在数秒内快速删除全部信息，但不能进行字节级别删除操作的是（5）。 空白（3）处应选择（）
用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写，且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的，称为（1）；可随机读写，但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是（2）：所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为（3）；通过紫外线照射后可擦除所有信息，然后重新写入新的信息并可多次进行的是（4）；通过电信号可在数秒内快速删除全部信息，但不能进行字节级别删除操作的是（5）。 空白（5）处应选择（）
用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写，且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的，称为（1）；可随机读写，但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是（2）：所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为（3）；通过紫外线照射后可擦除所有信息，然后重新写入新的信息并可多次进行的是（4）；通过电信号可在数秒内快速删除全部信息，但不能进行字节级别删除操作的是（5）。 空白（4）处应选择（）
用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写，且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的，称为（1）；可随机读写，但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是（2）：所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为（3）；通过紫外线照射后可擦除所有信息，然后重新写入新的信息并可多次进行的是（4）；通过电信号可在数秒内快速删除全部信息，但不能进行字节级别删除操作的是（5）。 空白（1）处应选择（）
需要定时刷新的存贮器是（）
DRAM芯片使用时_所有的存储单元在内一定要刷新一次。;（）
假定一台计算机的显示存储器用DRAM芯片实现，若要求显示分辨率为1600*1200，颜色深度为24位，帧频为85Hz，显示总带宽的50% 用来刷新屏幕，则需要的显存总带宽至少约为（）
已知某8位机的主存采用半导体存储器,其地址码为18位,采用4Kx4位的静态RAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用模块板形式,问:（1)若每个模块板为32Kx8位,共需几个模块板？（2)每个模块板内共有多少片RAM芯片？（3)主存共需要多少RAM芯片？ CPU如何选择各模块板？如何选择具体芯片（说明选用的器件及地址码的分配)？
设有一个具有14位地址和8位字长的存储器,，试问该存储器的存储容量是多少？若存储器用1 Kx1位RAM芯片组成,需多少片？需要哪几位地址作芯片选择，如何选择？
某半导体静态存储器芯片的地址线为A12～AO，数据线为D7~DO，若组成容量为32KB存储器，需要该种存储芯片的片数为()。
某半导体静态存储器芯片的地址线为A13～AO，数据线为D7～DO，若组成容量为32KB存储器，需要该种存储芯片的片数为()。
不需要定时刷新的存储器是（）。
在半导体存储器中，动态RM的特点是按字结构方式存储B．按位结构方式存储C．每隔一定时间要刷新一在半导体存储器中，动态RM的特点是按字结构方式存储 B．按位结构方式存储 C．每隔一定时间要刷新一次 D．信息在存储介质中移动
有一个16K×16位的存储器，由1K×4位的DRAM芯片构成（芯片是64×64结构)。问：（1)共需要多少RAM芯片？（2)采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少（3)如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读／写周期？死时间率是多少？
22、下面哪些半导体存储器不需要进行充电刷新。（）
