结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。
对于金属晶体来说，增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。
陶瓷材料中位错密度很高。
晶体中的位错线有几种类型？各有什么特点？
抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。
晶体中的刃形位错属于（）。
当反应料浆液相SO42-过低时的石膏晶体形状是（）。
晶体中存在的空位、间隙原子、位错等缺陷都会造成晶格畸变，从而使金属的强度（）。
位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）
位错线只能终止在晶体表面或界面上，而不能中止于晶体内部。
在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。
试述在晶体中插入柱状半原子面时能否形成位错环？
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
随着塑性变形的增加,晶体中的位错在逐渐减少。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
在fcc结构的铝单晶体中，对于全位错a [10-1] /2，正确的是（ ）。
金属理想晶体的强度比实际晶体的强度高得多。（)
气体的密度随压力和温度的变化较大，当压力不太高，温度不太低时，气体的密度可近似地按理想气体状态方程式计算。（)
2. 晶体中形成螺位错后，原来与位错线垂直的晶面，变为以位错线为中心轴的螺旋面。
位错可以在晶体生长和硅片制备过程中的任意阶段产生（）
2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。
下列Burgers矢最可能表示简单立方晶体中的全位错的是（)。
位错属于下列晶体缺陷中的（）
70、过冷度低时，成核密度低，晶体生长快，易形成粗粒结构。
