晶体结构的位错类型（）、（）、（）。
对于金属晶体来说，增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。
对于AFDS中FCC结构功能说明正确的是：（）。
位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）
bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，（）具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。
试述在晶体中插入柱状半原子面时能否形成位错环？
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
随着塑性变形的增加,晶体中的位错在逐渐减少。
在fcc晶体中（111）密排面抽取一层将形成（ ）。
在体心立方晶体结构中，柏氏矢量为a［100］的位错（ ）分解为a[111]/2+a[1-1-1]/2。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生反应形成的新的位错柏氏矢量为（ ）。
fcc晶体中，柏氏矢量为a[101]/2的螺型位错能在(11-1)和(1-1-1)面上交滑移。
在有固溶度变化的二元共晶合金系中，A（fcc结构）、B（bcc结构）两个组元分别形成α、β固溶体。α、β固溶体的晶体结构分别是（ ）。
在简单立方晶体的（100）面上有一个b= a [001]的螺位错。被（001）面上b= a [100]的螺位错交割，则正确的是（ ）。
A-B二元系中，A组元的晶体结构是fcc，形成固溶体a，B组元的晶体结构是bcc，形成固溶体b，A与B形成中间相h相，其晶体结构是hcp，则正确的有（ ）。
单位位错是柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量的位错。所以fcc中单位位错的柏氏矢量为a＜110＞/2。
若面心立方晶体中有b=a/2[-101]的全位错和b=a/6[12-1]的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问: （1)此反应能否进行？为什么？ （2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质。
2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。
下列Burgers矢最可能表示简单立方晶体中的全位错的是（)。
当晶体中位错密度很低时，接近于理想状态，晶体强度很高;相反在晶体中位错密度很高时，其强度也很高。（)
