温度对三极管的参数有很大影响，温度上升，则
当温度升高时，半导体的导电率将（）。
当环境温度升高时，半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。
当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流流过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
当环境温度升高时，晶体三极管的输出特性曲线将（）。
大多数金属导体当温度上升时，其电阻值（）
当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流流过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
当对半导体二极管外加正向电压时（），外加反向电压时（）。
温度对三极管的参数有很大影响，温度上升，则（）。
多数金属电阻值当温度上升I℃时其电阻值约（）0.4％～0.6％，而半导体电阻值当温度上升1℃时电阻值（）3％～6％。
电路如图所示，设三极管的β=80，VBE=0.7V，ICEO和VCES可忽略，求：当开关S1置于A位置，S2置于C位置时，三极管处于何种状态？http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201809/3cca23f7df5b4f07b970d0928202514d.png
当温度上升时，半导体三极管的ICEO（ ）。
当温度升高时，晶体三极管的参数（ ）。
电路如图所示，设三极管的β=80，VBE=0.7V，ICEO和VCES可忽略，求：当开关S1置于A位置，S2置于B位置时，三极管处于何种状态？http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201809/3cca23f7df5b4f07b970d0928202514d.png
电路如图所示，设三极管的β=80，VBE=0.7V，ICEO和VCES可忽略，求：当开关S2置于A位置，S1置于A位置时，三极管处于何种状态？http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201809/3cca23f7df5b4f07b970d0928202514d.png
电路如图所示，设三极管的β=80，VBE=0.7V，ICEO和VCES可忽略，求：当开关S2置于A位置，S1置于C位置时，三极管处于何种状态？http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201809/3cca23f7df5b4f07b970d0928202514d.png
当二极管加正向电压时，随着温度的不断上升其特性曲线整体会（)移，会使得正向电流迅速增大，从而使得二极管有可能烧坏。
当温度升高时，半导体的电阻将（）变化
电器和载流导体有短路电流流过时,如果继电保护动作将短路切除,温度不会上升很高。（)
一定质量的理想气体，如果体积不变，当温度上升时，压力（ B ）；如果压力不变，当温度上升时，体积（ ）。
当温度降低时，半导体的导电能力将（)。
半导体三极管主要参数有一只晶体管，其α值为0.98，当发射极电流为2mA时，该管的β值是（）
半导体三极管当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时，三极管截止，相当于开关断开（）
当温度升高时，半导体的导电能力显著（);当温度下降时，半导体的导电能力显著（)。利用半导体的温度特性，可以做成（)敏元件。
