二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。
当环境温度升高时，三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。
温度越高，二极管的反向饱和电流（）。
为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
当环境温度升高时，半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。
当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流流过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（）所以Ic也（）。
接二极管的温度每升高8℃，反向电流约增加（）倍
随着温度的升高，二极管反向电流几乎不变即与温度无关。
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
硅稳压管与普通二极管一样，当反向电压达到击穿电压时，将击穿损坏。
连接在电路中的二极管，当温度升高时，二极管的正向漏电流和反向击穿电压分别会（）。
二极管反向电流的大小与温度有关，在一定的温度范围内温度升高，反向电流减少。
温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。
在一定的温度条件下，如果二极管的导通电压增大，则反向饱和电流也增大。（）
3、在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。
二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流值增大1倍，当温度为30oC时，反向饱和电流值为（）
硅二极管的温度每升高8℃，反向电流约增加（)倍。
当三极管基极电位升高使发射结和集电结都处于反向偏置时，三极管集电极电流Ic受集电极同路最大供电能力的限制，不再与基极电流成比例增长，三极管的ce极之间相当于开关的“闭合”状态，这种三极管工作状态叫饱和状态。()
硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
硅二极管的反向电流比锗二极管大。()
二极管的伏安特性当温度降低后，二极管的正向电压和反向电流分别按如下规律变化（）
当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。（晶体管）
硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)
