85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。
熔剂中的（）与混合料中铁的混合物以及酸性脉石在高温作用下，能生成比单种物质的熔化温度低、还原性良好的低熔点物质。
下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是（）。
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。
制造工艺中的人，机，料，法，环发生变换时不需要全都验证。
粗苯精制工艺主要有加氢精制法和（）。
影响混合制粒的主要因素是（）、混合料中水分含量和加水方法，以及添加物混合工艺参数等。
无机结合料稳定材料击实试验，试料采用四分法取样，预定5至6个含水量，依次相差0.5％～1.5%，且其中（）最佳含水量。
完全退火的工艺参数有加热温度、（）和冷却速度。
溢式模有加料腔和配合部分，所以过乘的塑料容易溢出。
单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
影响混合制粒的主要因素是原料性质、混合料中水分含量和加水方法，以及添加物混合工艺参数等。
有加料腔而无挤压面的压缩模类型是（）。
生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（）
溢式模有加料腔和配合部分，所以过剩的塑料容易溢出。
热熔法预浸料制备工艺又分为熔融直接浸渍法（）和胶膜法（两步法）。
多晶硅正品料不包括。（)
提高混合料温度的方法有加蒸汽、热返矿、添加热水和生石灰。()
在没有括号的算式里，如果只有加、减法或者只有乘、除法，要__依次计算（）
21、熔点低于被焊金属的钎料熔化后，填充到被焊金属结合面的空隙之中，钎料凝固而将两部分金属连接成整体的焊接工艺称为（）。
1、CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是：
