半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。
下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是（）。
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
直拉单晶中氧含量头部和尾部相比（）。
（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。
CNG加气机的CPU是由多晶硅以一定的生产工艺制造出来的。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成，采用（）为弹性元件
采用贫油吸收法脱除NGL，可将天然气中90%～95%的丙烷和（）丙烷以上的重质成分分离出来。
CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
下列关系式中，σCZ为自重应力，σZ为附加应力，当采用分层总和法计算高压缩性地基最终沉降量时，压缩层下限确定的根据是：
采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？
生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（）
管顶以上（）以内采用人工夯实，打夯时不得损伤管道及管道防腐层，压实度不小于85%。
cz法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（)。
适合熔体生长可以获得高质量单晶体的理想材料应具有：
9、当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。
我国采用的完井方法是以（)射孔为主的方法，约占完井数的85%以上。
以下哪个不是影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素？（）
20、直拉法制备的单晶直径比较大，杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。
日前太阳能电池的主流是单晶以及非晶硅，占世界太阳以电池总产量的70%以上。
5、生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。
