用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。
测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()
测量变压器的套管tgδ时，严格要求表面状况（）。
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）。
测量高压设备绝缘介质损失角正切值tg，一般使用的试验设备是（）。
分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
采用（）的方法能消除tgδ测量的磁场干扰。
测量110kV干式电流互感器tgδ时，适宜采（）。
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
测量tgδ时有（）等外界影响因素都能影响到测量数据。
用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。
电流互感器出厂验收标准卡中，电流互感器出厂试验及验收的电容量和介质损耗因数tanδ测量验收标准为（）。
现场测量tgδ时，往往出现－tgδ，阐述产生－tgδ的原因？
当绝缘受潮、老化时，有功电流IR将增大，tgδ也增大。通过测量tgδ很灵敏地反映出绝缘的集中缺陷。
电流互感器一次绕组绝缘电阻低于前次测量值的（）及以下，或tgδ大于规定值时应干燥处理。
测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变试验电压的相位，在试验电流与干扰电流相同和相反两种情况下分别测量tanδ的方法称为选相倒相法。()
测量电气设备介质损耗角正切值t对nδ时，消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变试验电压的相位，在试验电流与干扰电流相同和相反两种情况下分别测量t对nδ的方法称为移相法（）
现场在强电场干扰下测量电介质的tgδ目前采用的方法有（）
膜纸复合的电容式电压互感器电容单元介质损耗因数tanδ测量交接试验标准正确的是（）
M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S（）
