聚焦探头的焦距相对于其不聚焦的探头一定是()近场区长度。
探头晶片尺寸增大,对探伤有哪些有利因素?
探头的近场长度由下式决定(式中λ波长,f频率,D晶片直径)()。
选择较小尺寸的探头晶片探伤()。
探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而()。
计算题:求折射角为37°斜探头在钢中的近场区长度。(已知λ=1.6mm、α=30°、晶片尺寸为10mm×13mm)。
探头晶片尺寸增加,对探伤有哪些不利因素?
探头晶片尺寸(),半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中,对探伤有利。
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加,近场区长度迅速增加,()。
探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤法,称为斜射法。
斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
要减小近场区长度,必须更换大直径探头。
计算题:有一个8mm×10mm方晶片制作的纵波直探头,其近场区长度为10.8mm,求该探头的频率(已知钢Cl=5900m/s)。
超声波探伤,为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。
探头晶片尺寸增加,对探伤有哪些有利因素?
在探测厚度较小的工件时,选用较大K值的探头是为了增大一次波的声程,避免近场区探伤。
计算题:计算14×16mm方晶片制作的频率为2.5MHzK1斜探头在钢中的近场区长度(钢Cl=3230m/s)。
直探头探伤,反射体距离小于三倍近场区长度时,校准探测灵敏度应采用()。
超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。
同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤法,称为斜射法。()此题为判断题(对,错)。
超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比,与波长成反比此题为判断题(对,错)。
探头的近场长度由下式决定:(式中λ波长,f频率,D晶片直径,a晶片半径)()。