探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面探伤不利。
单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为:()
脉冲反射法超声波探伤,对与声束轴线不垂直的缺陷,容易。
超声波探伤缺陷指示长度采用()法进行测量,应注意缺陷实际深度、水平距离与检测面弧长的差异,必要时进行修正。
超声波探伤中,当晶片的厚度为()时,探头具有较高的转换率。
探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法,称为()。
直探头接触法探伤时,发现缺陷回波较低,且底面回波降低或消失的原因是与工件表面呈()。
探头晶片尺寸(),半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中,对探伤有利。
探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤法,称为斜射法。
接触法超声波探伤,探测距离较大时,为获得较为集中的能量,应选用()直径晶片的探头。
用任何方法作超声波探伤时,为有效地检出缺陷,应使超声波束与缺陷最大表面平行。
带有机玻璃斜楔探头只能用于斜射法探伤。
液浸法探伤,由于探头与试件不接触,超声波的发射和接收都比较稳定。
超声波探伤,为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。
只用一个晶片兼作发射和接收超声波的探伤方法称单探头法探伤。
单晶片直探头接触法探伤中,与接触面十分接近的缺陷往往不能有效地检出这是因为()。
超声波探伤按探头的个数来分类,探伤的方法有三种:()、双探头法、多探头法。
接触法超声波探伤,探测近距离(或小直径)工件时,为获得较大声场范围,可选用()直径晶片的探头。
用单晶片探头探伤时,探头只能发射或接收超声波。
超声波接触法直探头在压电晶片前面粘贴有保护膜,它的声阻抗与晶片和传声介质的声阻抗要匹配以改善透声性能,按照经典理论,它的理论匹配公式(最佳条件)为(式中:Z保为保护膜声阻抗,Z晶为晶片声阻抗,Z介为传声介质声阻抗)()。
钢轨探伤车的探伤信息处理系统嵌入系统部分(),主要产生超声波发射的激励脉冲和对接受轮探头晶片的回波信号进行放大。
采用超声波探伤法、磁性探伤法、电阻法、声发射法等观察零部件内部机体的缺陷,如裂纹等的方法称为()
超声波探伤方法中按探头数目可分为单探头法,双探头法,三探头法()