位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）
位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
如果有两根位错线，位错线L1，柏氏矢量b1，位错线L2，柏氏矢量b2。当b1垂直L2时，L1对L2交截作用产生的位错线段大小等于b1。
晶界是位错运动的障碍，阻碍位错运动，具有强化作用，细化晶粒可以提高强度。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
交滑移只能产生于螺型位错中,对于刃型位错,由于只能在由位错线和伯氏矢量决定的平面上滑移,因此不能产生交滑移
在简单立方晶体的（100）面上有一个b= a [001]的螺位错。被（001）面上b= a [100]的螺位错交割，则正确的是（ ）。
简单立方晶体中(100)面有一个b=[011]的位错,在(001)面上有一个b=[010]的刃型位错与它交割,交割后产生了割阶
由位错滑移的派－纳力公式可以知道（ ），位错容易运动。
螺位错的柏氏矢量与位错线呈（） 关系。
能进展攀移的位错必然是()。
2. 晶体中形成螺位错后，原来与位错线垂直的晶面，变为以位错线为中心轴的螺旋面。
刃型位错的位错线与晶体的滑移方向垂直。（)
2-5.（20分）两个柏氏矢量相互平行的刃型位错交割后形成割阶还是扭折？请画图说明。
1、1. 螺位错的位错线（)于滑移方向。
2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。
7、沉淀强化的作用机理是位错不断绕过第二相粒子，在粒子周围形成一个位错塞积群，阻碍后续位错靠近；另一方面相邻粒子间距随着位错环的塞积而减小，增大了位错运动的阻力，进一步使金属得到强化。
9、位错引起点阵畸变，因而必然具有应变能
3、螺位错的位错线是（）
位错运动时，易产生增殖;运动时易于发生相互交割，形成割阶，引起位错缠结，因此造成位错运动的障碍。（)
1、刃型位错的伯氏矢量与位错线的关系是：
