对于面心立方晶体，产生系统消光的晶面有（）
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
在体心立方晶体结构中，柏氏矢量为a［100］的位错（ ）分解为a[111]/2+a[1-1-1]/2。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
在面心立方晶体中,把两个平行的同号螺型位错从100nm推近到8nm需要作功多少?已知:a=0.3nm μ=7×Pa。http://mooc1-1.chaoxing.com/ananas/latex/p/110994
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生反应形成的新的位错柏氏矢量为（ ）。
在简单立方晶体的（100）面上有一个b= a [001]的螺位错。被（001）面上b= a [100]的螺位错交割，则正确的是（ ）。
若面心立方晶体中有b=a/2[-101]的全位错和b=a/6[12-1]的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问: （1)此反应能否进行？为什么？ （2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质。
一个多晶体的晶粒直径为50μm，在晶粒中部有位错源，若在晶界萌生位错所需的应力约为G／10，问要多大的外力才能
2. 晶体中形成螺位错后，原来与位错线垂直的晶面，变为以位错线为中心轴的螺旋面。
2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。
面心立方简单晶格分子晶体，只考虑第二近邻，A6和A12常数分别为？
下列Burgers矢最可能表示简单立方晶体中的全位错的是（)。
在简单立方二维晶体中画出一个刃型位错，并用柏氏回路求出其柏氏矢量。
简单立方晶格中[100]晶向有几个（）
图中A是面心立方结构中的扩展位错，B是封闭的位错环，它的柏氏矢量和A左边的部分位错的相同。A和B都向左移动时，不改变其形状和尺寸，问位错扫过后滑移面两侧原子的移动方式是否相同？
对于简单立方晶体所形成的能带，下列哪个说法正确？（)
19、有一立方晶系晶体AB，晶胞中A原子坐标为（0,0,0），B原子坐标为（1/2,1/2,1/2），该晶体属于（）
6、简单立方晶体的致密度是（）。
在面心立方晶体中，一个（111）面上＜111＞共有（）个等效晶向
当晶体中位错密度很低时，接近于理想状态，晶体强度很高;相反在晶体中位错密度很高时，其强度也很高。（)
