电力场效应管MOSFET（）现象。
电力场效应管适用于（）容量的设备。
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管
电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
电力场效应管是理想的电流控制器件。
电力场效应管MOSFET是（）器件。
电力场效应管是理想的（）控制型器件。
电力晶体管的开关频率（）电力场效应管。
电力场效应管是如下哪一个。（）
对于场效应电子器件（场效应管、（）），为防止静电击穿或静电寄存，在没有采取防静电措施时不要触摸它。
场效应管在使用中要注意电压极性，电压、电流（）不能超过最大允许值。
电力场效应管指的是（）。
工艺在焊接场效应管时,烙铁要接地良好。
调速的电力电子元件目前应用的主要有晶闸管和IGBT（绝缘栅场效应管）。
场效应晶体管是一种重要的开关器件，在数字电路中，常用（_ _ _)MOSFET
电力场效应管MOSFET适宜于在（)条件下工作。
电力场效应管MOSFET容易引起静电击穿的原因是（）
7.晶闸管串联使用时需要注意哪些事项？电力MOSFET和IGBT各自并联使用时需要注意哪些问题？
