电力场效应管MOSFET（）现象。
电力场效应管适用于（）容量的设备。
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管
电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
场效应管极易被感应电荷击穿，因而不能用三用表进行检测，而要用（）仪进行检测。
静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管，属于（）
电力场效应管是理想的电流控制器件。
电力场效应管MOSFET是（）器件。
电力场效应管是理想的（）控制型器件。
电力晶体管的开关频率（）电力场效应管。
电力场效应管是如下哪一个。（）
场效应管闪烁噪声是由于（）而引起的。
对于场效应电子器件（场效应管、（）），为防止静电击穿或静电寄存，在没有采取防静电措施时不要触摸它。
功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区
场效应管极易被感应电荷击穿，因而不能用三用表进行检测，而要用（）仪器进行检测。
【判断题】小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。
场效应管极易被感应电荷击穿，因而不能用三用表进行检测，而要用专用测试仪进行检测。此题为判断题(对，错)。
电力场效应管MOSFET适宜于在（)条件下工作。
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（C）（）
