晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾,使扩散运动大大超过复合。
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()
NPN型三极管的基区中多数载流子是电子
当二极管加正向电压时,二极管将有很大的正向电流流过,这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子
当我自认为做得很好,而领导却批评我做法欠妥时,我一般会()。
三极管工作在放大状态时,发射区是()载流子,基区则是作为输送和控制载流子的基地,集电区是()载流子的。
为了保证三极管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、()。
晶体三极管的基级用字母()表示
晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
三极管的基区掺杂浓度最高,集电区的面积最大。()
◑在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
试画出PNP型晶体三极管在放大模式下内部载流子传输过程示意图。
(1)若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示,请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE=5×10(^18)/CM(^3),基区掺杂浓度NB=1×10(^16)/CM(^3) 发射区宽度XE=0.20μm, 基区宽度XB=0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM(^2)/S,基区少子扩散系数DB=25CM(^2)/S 发射区少子寿命τE0=1×10(^-7)/S, 基区少子寿命τB0=5×10(^-7)/S (2)实际生产中,工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管,如果不考虑其他参数的分散性,只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间,请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
为了使三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度______;基区宽度______;集电结结面积比发射结结面积______;其理由是什么?如果将三极管的集电极和发射极对调使用,能否起放大作用?
1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
N型半导体中多数载流子是()。(晶体管)
晶体管的基区很薄且杂质浓度很高。()
1、为了降低基极电阻,通常采用对非工作基区进行()的掺杂。
梁的腹板做得很薄,以节约金属和减轻重量,但需用肋板加强以提高其()
15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
一般情况下,晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。()
5、以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了 在基区中的运动,该载流子做 运动。()