三极管的内部结构是由基区、()区、集电区及发射结和集电结组成的。
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。
每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。
三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为()。
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()
晶体三极管的基区一般做得很薄,且掺杂很轻,多数载流子的浓度很高。
三极管工作在放大状态时,发射区是()载流子,基区则是作为输送和控制载流子的基地,集电区是()载流子的。
为了保证三极管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、()。
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术,一次掺杂成功。
三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别为发射结和()。
三极管的基区掺杂浓度最高,集电区的面积最大。()
室温下,常见掺杂Si或Ge晶体的杂质都是全电离的。
◑在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
在一定温度下,半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方,而与掺杂无关。
(1)若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示,请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE=5×10(^18)/CM(^3),基区掺杂浓度NB=1×10(^16)/CM(^3) 发射区宽度XE=0.20μm, 基区宽度XB=0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM(^2)/S,基区少子扩散系数DB=25CM(^2)/S 发射区少子寿命τE0=1×10(^-7)/S, 基区少子寿命τB0=5×10(^-7)/S (2)实际生产中,工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管,如果不考虑其他参数的分散性,只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间,请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
为了使三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度______;基区宽度______;集电结结面积比发射结结面积______;其理由是什么?如果将三极管的集电极和发射极对调使用,能否起放大作用?
1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
1、为了降低基极电阻,通常采用对非工作基区进行()的掺杂。
20、P+N结中的势垒电容大小基本只受N区一侧掺杂浓度影响
15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。