N型半导体多数载流子是（）
n型半导体主要由自由电子导电，p型半导体主要由（）。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
N型半导体主要靠（）导电，P型半导体主要靠（）导电。
N型半导体多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。（）
单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
N型半导体中的多数载流子是（）。
在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
N型半导体主要是依靠（）导电的半导体。
N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。
N型半导体中的多数载流子是电子，因此，N型半导体带负电。
P型半导体主要依靠（________）载流子导电。
P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。
在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。
P(Positive) 型半导体主要依靠价带中的（ ）导电。
N型半导体的载流子是
因为N型半导体的多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
半导体的导电特性及PN结P型半导体中少数载流子是（）
N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。（)
7、在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
