如果半导体内载流子浓度分布不均匀，那么无需电场力作用，载流子便会从（）运动。
对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。
杂质半导体中少数载流子浓度（）
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
测试非平衡少数载流子数目的方法？
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
平衡载流子和非平衡载流子
在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
平衡载流子浓度
非平衡载流子
非平衡载流子的产生
使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
在恒定光照产生非平衡载流子时，即使存在复合率，体系最终的非平衡载流子浓度也可以达到一稳定值。
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
5、由于载流子浓度梯度产生的电流（）。
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
非平衡载流子的产生（名词解释)
2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。
2、提高载流子浓度，会（）。
