锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
锗二极管的正向压降通常为（）。
在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。
达林顿管有一个特点，就是两个三极管中，前面三极管的功率一般比后面三极管的要小。
采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
锗二极管正向导通电压为0.6～0.8V。
二极管电路如图7-49所示，三个二极管的正向压降均为0.7V，它们的工作状态是（）。https://assets.asklib.com/psource/2015110111390214085.jpg
硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
如图所示二极管（设正向导通压降为0.7V）门电路，输出电压是UO（）。https://assets.asklib.com/images/image2/2017061414164894633.jpg
测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于（），交流电阻等于（）。
普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 （）
二极管正向导通时，压降很小，硅管 0.2－ 0.3V,锗管0.5－ 0.7V。（)
二极管电路如图7-49所示，三个二极管的正向压降均为0.7V，它们的工作状态是（）。
硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
硅二极管的反向电流比锗二极管大。()
使用恒压降模型（VD=0.7 V)，二极管电路如图题3.4.7a所示，设输入电压UI（t)波形如图b所示，在0<
锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
二极管的正向压降为0.7V,试问:（1)A端接3V,B端接0.3V时;（3)A ,B端均接0.3V时,输出端的电压为几伏？
5、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降
