硅PN结的正向导通电压约为（）.
在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。
硅二极管的正向导通电压一般是（）V。
硅管的正向导通电压约为0．7V．
常温下，锗材料PN结正向导通电压为（）左右。
锗二极管正向导通电压为0.6～0.8V。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
锗三极管发射结的正向导通电压为（）。
硅二极管的正向电压约为0.2V。（）
硅二极管正向导通电压为0.6～0.8V。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
锗二极管正向导通电压应为（）。
发光二极管的工作电流一般为及至十几（）之间，正向导通电压为0.5V~3V
硅二极管正向导通电压为__ __伏，锗二极管正向导通电压为___伏。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 （）
二极管正向导通时，压降很小，硅管 0.2－ 0.3V,锗管0.5－ 0.7V。（)
硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
发光二极管的工作电流一般为几毫安至十几毫安之间，正向导通电压为0.5V~3V。()
锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）
4、发光二极管的正向导通电压一般在（）V。
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
