导体、半导体、绝缘体的导电性能不同，是因为它们的能带结构不同。
常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
空气在通常情况下是绝缘体，但是在高压下能变成导体，用欧姆定律解释之。
电压在36伏以上和由于绝缘损坏楞能带有危险电压的电气设备的（）等必须有保护接地。
导体和绝缘体并没有绝对的界限，在一般状态下是很好的绝缘体，当条件改变时也可能变为导体。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
高压断路器的主要结构一般大体可分为导体部分，绝缘部分，（）和（）。
根据物体的导电程度，一般可将物体分为导体、半导体和绝缘体。
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。
CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？
一般说来，金属的电阻率随温度的升高而降低，碳等纯净半导体和绝缘体的电阻率则随温度的升高而减小。
一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此，为什么？
半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
电缆完好但长度计米偏小，则导体电阻和绝缘电阻（）。
为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
硅的禁带宽度比锗大，所制作的器件比锗耐高温。
【判断题】通常情况下,绝缘体禁带宽度大于半导体
光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后，电子从价带跃迁到导带，产生了电子－空穴对，电子具有（)，空穴具有（)。
11、关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？
1、3.随着温度升高，太阳能电池材料的禁带宽度将会（）。
